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什么是DDR2?
DDR2內存也稱(chēng)為第二代的DDR,是DDR內存的升級,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數據傳輸的基本方式,但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預?。?。即DDR2內存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數據,并且能夠以?xún)炔靠刂瓶偩€(xiàn)4倍的速度運行。
DDR2內存除了在數據傳輸頻率上是DDR的2倍外,觸點(diǎn)數量也從DDR的184個(gè)觸點(diǎn)變成了240個(gè)觸點(diǎn)。而且均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅實(shí)的基礎。DDR2內存采用1.8V電壓,相對于DDR標準的2.5V,降低了不少,從而明顯的降低了功耗與發(fā)熱量。
DDR2內存的頻率從400MHz開(kāi)始,目前出現過(guò)的有533MHz、667MHz、800MHz的。DDR2內存可以不必象DDR那樣需要成對使用,單根的DDR2內存是能夠正常使用的。DDR2內存被廣泛地采用在前端總線(xiàn)是800MHz及以上的系統里,象核心為nocona的Xeon CPU所運行的服務(wù)器均采用DDR2內存。DDR2內存是目前市場(chǎng)上的主流內存。
DDR2內存除了在數據傳輸頻率上是DDR的2倍外,觸點(diǎn)數量也從DDR的184個(gè)觸點(diǎn)變成了240個(gè)觸點(diǎn)。而且均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅實(shí)的基礎。DDR2內存采用1.8V電壓,相對于DDR標準的2.5V,降低了不少,從而明顯的降低了功耗與發(fā)熱量。
DDR2內存的頻率從400MHz開(kāi)始,目前出現過(guò)的有533MHz、667MHz、800MHz的。DDR2內存可以不必象DDR那樣需要成對使用,單根的DDR2內存是能夠正常使用的。DDR2內存被廣泛地采用在前端總線(xiàn)是800MHz及以上的系統里,象核心為nocona的Xeon CPU所運行的服務(wù)器均采用DDR2內存。DDR2內存是目前市場(chǎng)上的主流內存。